Intel SSD 670p - 1 TB - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 NVMe

Artikel-Nr.:
196215
Hersteller-Nr.:
SSDPEKNU010TZX1
EAN/GTIN:
5032037193566
Technische Spezifikationen

Allgemein

Packungsmenge
1

Festplattenlaufwerk

Kapazität
1 TB
Interner Datendurchsatz
3500 MBps
Formfaktor
M.2 2280
Festplattentyp
Internes Festplattenlaufwerk
Formfaktor (kurz)
M.2
Schnittstelle
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Interne Datenrate (Schreiben)
2500 MBps
NAND-Flash-Speichertyp
3D Quad-Level Cell (QLC)
SSD-Leistung
370 TB

Abmessungen und Gewicht

Breite
22 mm
Tiefe
80 mm

Service & Support

Typ
5 Jahre Garantie

Kompatibilität

Beschreibung
Next Unit of Computing 12
Spezifikationen
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSHi5, 12 Pro Kit - NUC12WSHi7, 12 Pro Kit - NUC12WSHv7, 12 Pro Kit - NUC12WSKi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5, 12 Pro Mini PC - NUC12WSKi30YC2, 12 Pro Mini PC - NUC12WSKi5

Sonstiges

Verpackung
Retail
Beschreibung
Dieses QLC-NAND-SSD der nächsten Generation bietet Verbesserungen der Leistung, Reaktionsgeschwindigkeit und Langlebigkeit in Verbindung mit hoher Speicherkapazität.
  • Leistung, Langlebigkeit und Kapazität - vereint in einem erschwinglichen PC-Laufwerk
    Das Intel SSD 670p bietet großartige Vorteile für alltägliche Computeraufgaben, optimierte Produktivität und Mainstream-Gaming. Das flache M.2/80-mm-Format nutzt Intels innovative QLC-Technik und eignet sich perfekt für Laptops, Desktop-PCs und Mobilgeräte. Das Intel SSD 670p basiert auf der innovativen QLC-Technik mit zahlreichen Leistungsverbesserungen, einschließlich höherer Leistung bei Lesebefehlen und besserer Langlebigkeit als das Intel QLC-3D-NAND-SSD der vorherigen Generation. Nun bietet ein für Speicherkapazität optimiertes SSD mit der Leistung von NVMe (oder PCIe) das richtige Verhältnis für die Computing-Anforderungen im Alltag.
  • Intel QLC-3D-NAND-Technik: Datenspeicher mit Innovation von Intel
    Die Intel QLC-Technik bietet Leistung, hohe Kapazität, Qualität und Zuverlässigkeit. Die innovative Floating-Gate-Architektur verfügt über enge, symmetrische Schichten - ohne Overhead im Bereich der Speicherzellen. Darüber hinaus ändert diese dynamische Architektur die Konfiguration der Speicherzellen, sodass diese die Anforderungen der Kunden hinsichtlich Speicherkapazität und Leistung erfüllen.
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