Intel SSD 670p - 512 GB - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 NVMe

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Artikel-Nr.:

167890

Hersteller-Nr.:

SSDPEKNU512GZX1

EAN/GTIN:

0735858453271

Technische Spezifikationen

Allgemein

Packungsmenge

Festplattenlaufwerk

Kapazität

512 GB

Interner Datendurchsatz

3000 MBps

Formfaktor

M.2 2280

Festplattentyp

Internes Festplattenlaufwerk

Formfaktor (kurz)

M.2

Schnittstelle

PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

Interne Datenrate (Schreiben)

1600 MBps

NAND-Flash-Speichertyp

3D Quad-Level Cell (QLC)

SSD-Leistung

185 TB

Abmessungen und Gewicht

Breite

22 mm

Tiefe

80 mm

Service & Support

Typ

5 Jahre Garantie

Kompatibilität

Beschreibung

Next Unit of Computing 12

Spezifikationen

Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSHi5, 12 Pro Kit - NUC12WSHi7, 12 Pro Kit - NUC12WSHv7, 12 Pro Kit - NUC12WSKi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5, 12 Pro Mini PC - NUC12WSKi30YC2, 12 Pro Mini PC - NUC12WSKi5

Sonstiges

Verpackung

Retail

Beschreibung

Dieses QLC-NAND-SSD der nächsten Generation bietet Verbesserungen der Leistung, Reaktionsgeschwindigkeit und Langlebigkeit in Verbindung mit hoher Speicherkapazität.

Leistung, Langlebigkeit und Kapazität - vereint in einem erschwinglichen PC-Laufwerk
Das Intel SSD 670p bietet großartige Vorteile für alltägliche Computeraufgaben, optimierte Produktivität und Mainstream-Gaming. Das flache M.2/80-mm-Format nutzt Intels innovative QLC-Technik und eignet sich perfekt für Laptops, Desktop-PCs und Mobilgeräte. Das Intel SSD 670p basiert auf der innovativen QLC-Technik mit zahlreichen Leistungsverbesserungen, einschließlich höherer Leistung bei Lesebefehlen und besserer Langlebigkeit als das Intel QLC-3D-NAND-SSD der vorherigen Generation. Nun bietet ein für Speicherkapazität optimiertes SSD mit der Leistung von NVMe (oder PCIe) das richtige Verhältnis für die Computing-Anforderungen im Alltag.
Intel QLC-3D-NAND-Technik: Datenspeicher mit Innovation von Intel
Die Intel QLC-Technik bietet Leistung, hohe Kapazität, Qualität und Zuverlässigkeit. Die innovative Floating-Gate-Architektur verfügt über enge, symmetrische Schichten - ohne Overhead im Bereich der Speicherzellen. Darüber hinaus ändert diese dynamische Architektur die Konfiguration der Speicherzellen, sodass diese die Anforderungen der Kunden hinsichtlich Speicherkapazität und Leistung erfüllen.

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